• 電子系 64 級

世界先進積體電路(股) 公司 全球業務及規劃副總經理

 

1988~2003 臺灣茂矽電子(股)公司 副總經理暨公司發言人
1986~1988 Microchip Manager of Process Development
1983~1986 Rohm Manager of Technology Development
1980~1983 Intel Corporation Senior Staff Engineer

    • 卓越貢獻或傑出事蹟:

      1. 發表成功開發的ONO介電材料於1982 IEDM,此材料廣泛使用於半導體製造。
      2. 發明Flash記憶體技術和架構(4,868,619,4,698,787),發表於1985 IEDM。此項技術使用於Intel,AMD等公司是Flash記憶體的基本專利。
      3. 發明Interpoly oxide-nitride-oxide技術(4,769,340),此項技術廣泛使用於半導體記憶體。
      4. 使用CMOS成功開發全球最高速EEPROM(取代Bipolar PROM),發表於1984 ISSCC是Electronics雜誌封面故事。
      5. 成功將國內開發的DRAM技術轉移至韓國現代和金星,是我國首次DRAM技術成功授權給韓國。
      6. 負責並成功於新竹建造晶圓生產工廠,工廠極快進入量產,累積足夠利潤和德國Siemens成立合資企業(ProMOS)。
      7. 多次舉辦國際會議並擔任Semicon技術論壇Chairman。主辦全國EMBA高球賽,於清大自強工業/清大工工系/清大科管院/教育部技職老師研習班講授半導體和管理課程。多次於臺大,清大,彰師大,聯合大學,中原大學專題演講。
      8. 曾任多家美國及臺灣新創或上市公司董事長,董事或監察人,目前是世界先進全球業務及規劃副總經理,也是VIS  Micro總經理和八家科技公司董事。現在擔任清華EMBA校友會會長並且是清華科管院的兼任老師。(現任Specialty TechFarm,巨有,SkyTraq,Layer Walker, InnoTech,Linear Artwork,3D Semi,Great Wall Semi等公司董事,曾任聯茂Landmark創投董事長兼總經理,茂德監察人,南茂董事,敦茂監察人,茂矽董事,捷泰董事,普揚董事長。)
      9. 發表60餘篇半導體技術和管理論文並有20多項美國專利;是斐陶斐會員。
    • 經歷:
      1. 2003~迄今 服務於世界先進(原為工研院次微米實驗室)。任全球業務和規劃副總,成功推動技術藍圖,導入合作夥伴客戶,該公司是全球晶圓代工業過去六年ROE第二名,營收全球前五名。
      2. 1988~2003 服務於茂矽,任技術發展協理,晶圓廠營運副總,技術移轉副總,公司發言人,聯茂創投董事長兼總經理。
      3. 成功將CMOS DRAM移轉到日本NMBS,韓國現代及金星(現為LG)。負責將日本OKI DRAM技術於新竹ramp up。投資約十家IC設計公司並協助多家IC設計公司成功力個於美國或臺灣上市。成功和Siemens談判並成立JV(ProMOS),是我國首次和德國成立JV半導體公司。
      4. 1986~1988 服務於Microchip(Arizona州)任製程發展經理。成功開發全球最高速的64K/256K CMOS EEPROM,並將EEPROM整合入DSP(和德州儀器共同開發)。另外,所領導團隊將EPROM技術成功移轉到韓國現代(代工)。
      5. 1983~1986 服務於Rohm(加州)為技術發展經理,開發成功全球最高速CMOS EEPROM(本人present於ISSCC),該項技術獲Electronics雜誌選為封面故事。另外,本人領導之團隊成功開發Single Transistor Flash Memory和NOR Flash Architecture。此項技術使用於Intel和AMD,是Flash記憶體最基本也是首次可以商品化的專利。團隊成功將CMOS EEPROM技術移轉到日本OKI和法國SGS-Thomson(STM)。
      6. 1980~1983  服務於Intel(加州)為高級工程師,負責非揮發性技術研發,成功開發ONO介電材料(本人present於1982年IEDM),該技術廣泛使用於半導體生產。